SiLM27511H系列是单（dān）通道高欠（qiàn）压保护低边门极驱动（dòng）器，可（kě）有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采（cǎi）用一种（zhǒng）能够从内部极大的降低（dī）直通（tōng）电流（liú）的设计，将（jiāng）高峰（fēng）值的源电流和灌电（diàn）流脉冲提（tí）供（gòng）给（gěi）电容负载（zǎi），以实（shí）现轨到轨的驱动能力（lì）和（hé）典型（xíng）值仅为 18ns 的极小（xiǎo）传播延（yán）迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况（kuàng）下，能够提供 4A 的峰值源电流（liú）和（hé） 5A 的峰值灌（guàn）电（diàn）流。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。