SLM21867是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的（de）高边、低（dī）边输出驱动信号。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫（yì）CMOS技术（shù），提（tí）供可靠的（de）单芯片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支持（chí）3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲电流（liú）缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉（chā）导（dǎo）通。延（yán）时匹（pǐ）配（pèi）很方便应用于（yú）高频（pín）设备。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压（yā）可高达600V。
为自举（jǔ）供电设（shè）计的浮动（dòng）通道
全（quán）电压范围运行达600V
低VCC工作范围
允许瞬态负电压，不受dV/dt影响（xiǎng）
驱动电源范（fàn）围从（cóng）7V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V逻辑兼容
输（shū）入有下（xià）拉电阻的COMS斯（sī）密特触发器
两通（tōng）道（dào）间匹（pǐ）配传输延（yán）时
输入输出（chū）同相
典型开（kāi）通/关断延（yán）时：170ns/170ns
典型驱动电（diàn）流：2.5A/3.5A
400 080 9938
